在痕量分析檢測(cè)的過(guò)程中，超純水系統(tǒng)會(huì)在分析結(jié)果中產(chǎn)生非常巨大的影響。

在很早之前，電子半導(dǎo)體材料就已經(jīng)開(kāi)始崛起并應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，在觀察半導(dǎo)體的導(dǎo)電性以及雜質(zhì)的時(shí)候，需要具備電活性，嚴(yán)重的降低了單晶硅片中載有的流子壽命，所以他其中所含的量需在1毫克以下，其測(cè)量的雜質(zhì)含量也更低，半導(dǎo)體行業(yè)中我們才認(rèn)識(shí)到痕量元素在高純度的材料中有著非常重要的問(wèn)題，從而開(kāi)辟出了痕量分析的時(shí)代。

在痕量分析的過(guò)程中，為了能夠達(dá)到最大的量化指標(biāo)，有幾個(gè)參數(shù)都是較為重要的，實(shí)驗(yàn)室中的稀釋溶液以及洗滌玻璃器皿等設(shè)備的超純水。最重要的是使用超純水設(shè)備產(chǎn)水的過(guò)程中，電阻率會(huì)測(cè)試出可溶性硅等樹(shù)脂的效益才是最重要的。

在痕量分析中的超純水設(shè)備包括一系列純化設(shè)備，最主要的是預(yù)處理濾芯，RO反滲透模塊以及后處理的純化元件以及滅菌消解單元構(gòu)成。艾柯超純水設(shè)備電導(dǎo)率能夠達(dá)到18.2MΩ，熱源低于0.001EU，其產(chǎn)生的超純水完全能夠滿足痕量分析儀使用流程中的用水需求。

超純水設(shè)備在能夠有效使用并去除硅離子的時(shí)候所有的粒子都會(huì)顯示出較高的截留率。所有在最后的水處理單元中，超純水通常將使用過(guò)特殊設(shè)備的棚元素和去除的純化柱，再將其降低早期的棚穿透。這種技術(shù)在結(jié)合過(guò)程中需要保證其PPT級(jí)別或是達(dá)到次PPT級(jí)別對(duì)超純水設(shè)備制取出的超純水的要求。